کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5148040 | 1497364 | 2017 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation and optimization of CdS-n/Cu2ZnSnS4 structure for solar cell applications
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this work, the performance of solar cell based on CdS-n/Cu2ZnSnS4-p hetero-junction is numerically simulated. The aim of the study is to investigate the influence of thickness, defects density and bandgap energy of absorber layer CZTS and the thickness of the buffer layer CdS of the solar cell on electrical parameters Jsc, Voc, FF and efficiency η of the cell. The results of our simulation allowed us to optimize the parameters above mentioned in order to get the best efficiency at the optimal band gap which corresponds to the maximum of the solar spectrum with optimal values of the electrical performances of the cell. This results lead to develop CZTS solar cells with high efficiency and low cost and give a help full indication for fabrication process.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: International Journal of Hydrogen Energy - Volume 42, Issue 13, 30 March 2017, Pages 8827-8832
Journal: International Journal of Hydrogen Energy - Volume 42, Issue 13, 30 March 2017, Pages 8827-8832
نویسندگان
H. Arbouz, A. Aissat, J.P. Vilcot,