کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5348220 1503603 2016 26 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
HfO2 gate dielectric on Ge (1 1 1) with ultrathin nitride interfacial layer formed by rapid thermal NH3 treatment
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
HfO2 gate dielectric on Ge (1 1 1) with ultrathin nitride interfacial layer formed by rapid thermal NH3 treatment
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 364, 28 February 2016, Pages 747-751
نویسندگان
, , , ,