کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5349141 | 1503641 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
XPS for probing the dynamics of surface voltage and photovoltage in GaN
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
- Photo response of n- and p-GaN samples are recorded by XPS using the Snapshot Mode with 0.1Â s time resolution, and also under square wave electrical (SQW) pulses.
- Extent and dynamics of surface voltage and photovoltage are examined in the microseconds to seconds range.
- It is observed that for the p-GaN charging/discharging processes have multiple components with time constants of microseconds to seconds.
- The otherwise overlapping Ga3d peaks of the composite sample containing both n- and p-GaN are split into two distinct components of n- and p- separately.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 323, 30 December 2014, Pages 25-30
Journal: Applied Surface Science - Volume 323, 30 December 2014, Pages 25-30
نویسندگان
Hikmet Sezen, Ekmel Ozbay, Sefik Suzer,