کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5349867 | 1503652 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation study of interface traps and bulk traps in n++GaN/InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We investigate the impact of interface traps and bulk traps on the performance of n++GaN/InAlN/AlN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) using two-dimensional Sentaurus TCAD simulation. The device uses lattice-matched wide bandgap In0.17Al0.83N as a thin barrier layer. The simulations are performed using the thermodynamic transport model. Interface and bulk traps are accounted for in our simulations. The results indicate a significant influence of both acceptor and donor traps on device operation, as long as the traps are considered in the barrier layer. On the other hand, simulations with donor traps specified at the In0.17Al0.83N/n++GaN cap interface show no influence on the transfer characteristic.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 312, 1 September 2014, Pages 157-161
Journal: Applied Surface Science - Volume 312, 1 September 2014, Pages 157-161
نویسندگان
M. Molnár, D. Donoval, J. KuzmÃk, J. Marek, A. Chvála, P. PrÃbytný, M. MikoláÅ¡ek, K. Rendek, V. Palankovski,