کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5350782 | 1503555 | 2017 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Kinetic Monte Carlo study on the evolution of silicon surface roughness under hydrogen thermal treatment
ترجمه فارسی عنوان
مطالعه مینت کارلو سینتیک بر تکامل ناهمواری سطح سیلیکون تحت درمان حرارتی هیدروژن
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترجمه چکیده
تکامل یک سطح سیلیکون دو بعدی تحت حرارتی حرارتی هیدروژن با استفاده از شبیه سازی های مین کارلو سینتیک، با تمرکز بر وابستگی رفتار مهاجرت اتم های سطحی در هر دو دما و فشار هیدروژن مورد مطالعه قرار گرفته است. ما انرژی های مختلف فعال سازی را برای تجزیه و تحلیل اثر فشار هیدروژن بر تکامل مورفولوژی سطح در دماهای بالا اتخاذ می کنیم. کاهش زبری سطح به دو مرحله تقسیم می شود، هر دو به لحاظ وابستگی نمایشی به زمان تعادل نشان می دهند. نتایج ما نشان می دهد که فشار هیدروژن بالا برای به دست آوردن سطوح بهینه شده به عنوان یک استراتژی در استفاده از دستگاه های سه بعدی منجر می شود.
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
The evolution of a two-dimensional silicon surface under hydrogen thermal treatment is studied by kinetic Monte Carlo simulations, focusing on the dependence of the migration behaviors of surface atoms on both the temperature and hydrogen pressure. We adopt different activation energies to analyze the influence of hydrogen pressure on the evolution of surface morphology at high temperatures. The reduction in surface roughness is divided into two stages, both exhibiting exponential dependence on the equilibrium time. Our results indicate that a high hydrogen pressure is conducive to obtaining optimized surfaces, as a strategy in the applications of three-dimensional devices.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 414, 31 August 2017, Pages 361-364
Journal: Applied Surface Science - Volume 414, 31 August 2017, Pages 361-364
نویسندگان
Gang Wang, Yu Wang, Junzhuan Wang, Lijia Pan, Linwei Yu, Youdou Zheng, Yi Shi,