کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5353570 | 1503673 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Study of the energy distribution of the interface trap density in a GeSn MOS structure by numerical simulation of the electrical characteristics
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Based on a theoretical analysis, we obtained, as key results, direct connections between microscopic parameters of the structures and experimentally accessible features of the simulated macroscopic quantities. A straightforward relationship between the interface state density and the peaks in the conductance response is also highlighted. The dependence of the peak characteristics on the trap states was identified, as well as the effects of traps extending over large energy ranges in the bandgap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 291, 1 February 2014, Pages 25-30
Journal: Applied Surface Science - Volume 291, 1 February 2014, Pages 25-30
نویسندگان
B. Baert, M. Schmeits, N.D. Nguyen,