کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5354488 | 1503690 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure and optical band gap of silver photo-diffused Ge2Sb2Te5 thin film
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Amorphous chalcogenides were investigated in this work. ⺠Carried out photo-doping of Ag into Ge-Sb-Te films by illuminating thermally evaporated GST:Ag bilayer. ⺠Photo-induced silver diffusion effects were investigated in the created thin films. ⺠Increase in the optical band gap on silver photo-diffusion is due to decrease in the density of defect states.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 273, 15 May 2013, Pages 437-443
Journal: Applied Surface Science - Volume 273, 15 May 2013, Pages 437-443
نویسندگان
S. Kumar, D. Singh, R. Thangaraj,