کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5354725 | 1388180 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Optoelectronic and thermoelectric properties in Ga doped β- PbS2 nanostructured thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠An initiating study on the effect of Ga doping on the optoelectronic and thermoelectric properties of β-PbS2 thin films. ⺠The films were characterized by XRD, XPS, SEM, AFM. ⺠Higher bandgap observed for Ga doped β-PbS2 film compared to β-PbS2 film. ⺠Thermopower measurements yielded EF value and the scattering mechanisms in the film.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 17, 15 June 2012, Pages 6257-6260
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 17, 15 June 2012, Pages 6257-6260
نویسندگان
R. Geethu, Rajani Jacob, T. Shripathi, G.S. Okram, V. Ganesan, Shilpa Tripathi, Anees Fatima, P.V. Sreenivasan, K.S. Urmila, B. Pradeep, Rachel Reena Philip,