کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5355058 | 1388185 | 2011 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effects of hydrogen on photoluminescence properties of a-SiNx:H films prepared by VHF-PECVD
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠PL intensity can be changed by controlling the hydrogen flow rates. ⺠The hydrogen passivation of nonradiative defect states related to N and Si enhances PL intensity. ⺠The PL intensity of the film is found to be four times higher than that of the film without hydrogen dilution.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 4, 1 December 2011, Pages 1290-1293
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 4, 1 December 2011, Pages 1290-1293
نویسندگان
Chao Song, Rui Huang, Xiang Wang, Yanqing Guo, Jie Song, Yixiong Zhang, Zehao Zheng,