کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5356709 | 1388208 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic layer deposition and characterization of stoichiometric erbium oxide thin dielectrics on Si(1Â 0Â 0) using (CpMe)3Er precursor and ozone
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Atomic layer deposition and characterization of stoichiometric erbium oxide thin dielectrics on Si(1Â 0Â 0) using (CpMe)3Er precursor and ozone Atomic layer deposition and characterization of stoichiometric erbium oxide thin dielectrics on Si(1Â 0Â 0) using (CpMe)3Er precursor and ozone](/preview/png/5356709.png)
چکیده انگلیسی
⺠Atomic layer deposition of erbium oxide from (CpMe)3Er and ozone. ⺠Stoichiometric erbium oxide atomic layer deposition. ⺠Carbon-free atomic layer deposited erbium oxide. ⺠Interfacial erbium silicate formation at 800 °C or higher temperatures. ⺠Hysteresis of 50 mV and leakage current density of 10â7 A cmâ2 at 1 MV cmâ1.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 22, 1 September 2012, Pages 8514-8520
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 22, 1 September 2012, Pages 8514-8520
نویسندگان
Runshen Xu, Qian Tao, Yi Yang, Christos G. Takoudis,