کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5358400 | 1503650 | 2014 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Properties of atomic-layer-deposited ultra-thin AlN films on GaAs surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Properties and passivation effect of ultra-thin AlN films fabricated on InGaAs/GaAs near-surface quantum wells by plasma-enhanced atomic layer deposition are investigated. The role of the coating on the surface is studied by examining the electric field build-up by photoreflectance. Photoluminescence confirms the passivation effect with ultra-thin layers and the reduced electric fields with thicker AlN layers. Atomic force microscopy shows that an ultra-thin AlN layer does not substantially alter the surface morphology.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 314, 30 September 2014, Pages 570-574
Journal: Applied Surface Science - Volume 314, 30 September 2014, Pages 570-574
نویسندگان
P. Mattila, M. Bosund, H. Jussila, A. Aierken, J. Riikonen, T. Huhtio, H. Lipsanen, M. Sopanen,