کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5358539 | 1503628 | 2015 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Laser annealing of plasma-damaged silicon surface
ترجمه فارسی عنوان
برش لیزری سطح سیلیکون آسیب دیده پلاسما
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
حامل اقلیت حامل مؤثر، تابش پلاسما، اشعه لیزر، تله رابط هیسترزیس، جذب مایکروویو، نوترکیب حامل،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
13.56 MHz capacitance coupled Ar plasma irradiation at 50 W for 120 s caused serious damage at SiO2/Si interfaces for n-type 500-μm-thick silicon substrates. The 635-nm-light induced minority carrier effective lifetime (Ïeff) was decreased from 1.7 Ã 10â3 (initial) to 1.0 Ã 10â5 s by Ar plasma irradiation. Moreover, the capacitance response at 1 MHz alternative voltage as a function of the bias voltage (C-V) was changed to hysteresis characteristic associated with the density of charge injection type interface traps at the mid gap (Dit) at 9.1 Ã 1011 cmâ2 eVâ1. Subsequent 940-nm laser annealing at 3.7 Ã 104 W/cm2 for 4.0 Ã 10â3 s markedly increased Ïeff to 1.7 Ã 10â3 s and decreased Dit to 2.1 Ã 1010 cmâ2 eVâ1. The hysteresis phenomenon was reduced in C-V characteristics. Laser annealing effectively decreased the density of plasma induced carrier recombination and trap states. However, laser annealing with a high power intensity of 4.0 Ã 104 W/cm2 seriously caused a thermal damage associated with a low Ïeff and a high Dit with no hysteresis characteristic.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 336, 1 May 2015, Pages 73-78
Journal: Applied Surface Science - Volume 336, 1 May 2015, Pages 73-78
نویسندگان
T. Sameshima, M. Hasumi, T. Mizuno,