کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5360330 1388260 2008 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characterization of high-k gate dielectrics on semiconductors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electrical characterization of high-k gate dielectrics on semiconductors
چکیده انگلیسی
This paper reviews the following electrical characterization techniques for measuring the microscopic bonding structures, impurities, and electrically active defects in advanced CMOS gate stacks: (1) inelastic electron tunneling spectroscopy (IETS), (2) lateral profiling of threshold voltages, interface-trap density, and oxide charge density distributions along the channel of a MOSFET, and (3) pulse agitated substrate hot electron injection (PASHEI) technique for measuring trapping effects in the gate dielectric at low and modest gate voltages.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 3, 30 November 2008, Pages 672-675
نویسندگان
,