کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5360330 | 1388260 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characterization of high-k gate dielectrics on semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electrical characterization of high-k gate dielectrics on semiconductors Electrical characterization of high-k gate dielectrics on semiconductors](/preview/png/5360330.png)
چکیده انگلیسی
This paper reviews the following electrical characterization techniques for measuring the microscopic bonding structures, impurities, and electrically active defects in advanced CMOS gate stacks: (1) inelastic electron tunneling spectroscopy (IETS), (2) lateral profiling of threshold voltages, interface-trap density, and oxide charge density distributions along the channel of a MOSFET, and (3) pulse agitated substrate hot electron injection (PASHEI) technique for measuring trapping effects in the gate dielectric at low and modest gate voltages.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 3, 30 November 2008, Pages 672-675
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 3, 30 November 2008, Pages 672-675
نویسندگان
T.P. Ma,