کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5360330 | 1388260 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical characterization of high-k gate dielectrics on semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper reviews the following electrical characterization techniques for measuring the microscopic bonding structures, impurities, and electrically active defects in advanced CMOS gate stacks: (1) inelastic electron tunneling spectroscopy (IETS), (2) lateral profiling of threshold voltages, interface-trap density, and oxide charge density distributions along the channel of a MOSFET, and (3) pulse agitated substrate hot electron injection (PASHEI) technique for measuring trapping effects in the gate dielectric at low and modest gate voltages.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 3, 30 November 2008, Pages 672-675
Journal: Applied Surface Science - Volume 255, Issue 3, 30 November 2008, Pages 672-675
نویسندگان
T.P. Ma,