کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5361376 | 1503653 | 2014 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Atomic Layer Deposition of oriented nickel titanate (NiTiO3)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Atomic Layer Deposition of oriented nickel titanate (NiTiO3) Atomic Layer Deposition of oriented nickel titanate (NiTiO3)](/preview/png/5361376.png)
چکیده انگلیسی
The combination of the two well behaved binary oxide ALD processes, NiO (Ni(acac)2 + O3) and (TiO2 (TiOiPr)4 + H2O), provide excellent means for depositing thin films of NixTi1âxOy with highly controllable stoichiometry. In particular, stoichiometric NiTiO3 was obtained for a 1:1 molar pulsing ratio of NiO:TiO2. An ALD window was observed between 175 and 275 °C for this composition, within which the growth rate remained unchanged at â¼43 pm/subcycle. The measured refractive index was 2.42 and a direct band gap of 2.27 eV was found. The described process yielded smooth (0.4-0.9 nm RMS roughness), crystalline films of NiTiO3 as-deposited on Si (1 0 0) substrates, with a strained (0 0 1) orientation. Annealing at 650 °C for 15 min relaxed the strain and improved the crystallinity.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 311, 30 August 2014, Pages 478-483
Journal: Applied Surface Science - Volume 311, 30 August 2014, Pages 478-483
نویسندگان
Jon E. Bratvold, Helmer Fjellvåg, Ola Nilsen,