کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5363867 | 1503697 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Evaporation and removal mechanism of phosphorus from the surface of silicon melt during electron beam melting
ترجمه فارسی عنوان
مکانیزم تخلیه و حذف فسفر از سطح ذوب سیلیکون در طی ذوب شدن پرتو الکترونی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ذوب پرتو الکترون، تبخیر، مکانیزم حذف، فسفر، سیلیکون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
چکیده انگلیسی
⺠Phosphorus can be removed to less than 0.07 Ã 10â4 wt.% by electron beam melting. ⺠The phosphorus content decreases rapidly at first and then tends to level out. ⺠Phosphorus evaporation in the melt free surface follows the first order kinetics. ⺠The mass transfer coefficients of phosphorus in silicon are calculated and discussed. ⺠The removal of phosphorus is controlled by both diffusion and evaporation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 266, 1 February 2013, Pages 344-349
Journal: Applied Surface Science - Volume 266, 1 February 2013, Pages 344-349
نویسندگان
Shuang Shi, Wei Dong, Xu Peng, Dachuan Jiang, Yi Tan,