کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5365275 | 1388328 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Piezoelectric evaluation of ion beam etched Pb(Zr,Ti)O3 thin films by piezoresponse force microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The evolution of piezoelectric properties of Pb(Zr,Ti)O3 (PZT) thin films after ion beam etching have been investigated at the nanoscale level by piezoelectric force microscopy. A comparison of the piezoelectric properties on etched and unetched films is realized. Piezoelectric contrasts imaging evidences a modification of the domain architecture at the film surface. Local piezoelectric hysteresis loops measurements on grains indicate that the coercive voltage for switching is much higher for the etched films (2.3Â V) compared to the unetched ones (1.0Â V) while the average piezoelectric activity is slightly lower. The results are explained in terms of grain-damaging during etching and domain-wall pinning.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 11, 30 March 2007, Pages 4942-4946
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 11, 30 March 2007, Pages 4942-4946
نویسندگان
C. Legrand, A. Da Costa, R. Desfeux, C. Soyer, D. Rèmiens,