کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366504 | 1388350 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Classification of stacking faults and dislocations observed in nonpolar a-plane GaN epilayers using transmission electron microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠We characterized various defects observed in a-plane GaN epilayers using TEM. ⺠We presented comparative discrimination methods to identify various line and planar defects observed in a-GaN. ⺠Investigations of the types of defects observed under different two-beam conditions of the various zone axes were performed in detail.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 7, 15 January 2012, Pages 2522-2528
Journal: Applied Surface Science - Volume 258, Issue 7, 15 January 2012, Pages 2522-2528
نویسندگان
Bo Hyun Kong, Qian Sun, Jung Han, In-Hwan Lee, Hyung Koun Cho,