کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5366939 | 1388358 | 2006 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties of MOS structures on nitrogen-doped Czochralski-grown silicon: A positron annihilation study
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Measurements of interface trap density, effective generation lifetime (GL) and effective surface generation velocity have been performed using different methods on selected MOS structures prepared on nitrogen-doped Czochralski-grown (NCz) silicon. The application of the positron annihilation technique using a pulsed low energy positron system (PLEPS) focused on the detection of nitrogen-related defects in NCz silicon in the near surface region. In the case of p-type Cz silicon, all the results could be used for the testing of homogeneity. In n-type Cz silicon, positron annihilation was found insensitive to nitrogen doping.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 9, 28 February 2006, Pages 3201-3208
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 9, 28 February 2006, Pages 3201-3208
نویسندگان
V. SlugeÅ, L. Harmatha, M. Ťapajna, P. Ballo, P. PÃseÄný, J. Å ik, G. Kögel, V. KrÅ¡jak,