کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5367921 | 1388376 | 2008 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Synthesis and optical characterization of c-axis oriented GaN thin films on amorphous quartz glass via sol-gel process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Synthesis and optical characterization of c-axis oriented GaN thin films on amorphous quartz glass via sol-gel process Synthesis and optical characterization of c-axis oriented GaN thin films on amorphous quartz glass via sol-gel process](/preview/png/5367921.png)
چکیده انگلیسی
c-Axis oriented GaN nanocrystalline thin films were fabricated by nitridation of three different thin films of α-GaO(OH), α-Ga2O3 or β-Ga2O3 obtained by sol-gel technique on amorphous quartz glass substrates. All these GaN thin films showed near band edge emission at 390 nm and yellow luminescence at 570 nm. The crystalline nature and c-axis orientation as well as luminescence properties of the GaN thin films increased by several times by using a buffer layer of GaN on the substrate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 16, 15 June 2008, Pages 5257-5260
Journal: Applied Surface Science - Volume 254, Issue 16, 15 June 2008, Pages 5257-5260
نویسندگان
Godhuli Sinha, Kalyan Adhikary, Subhadra Chaudhuri,