کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5368224 | 1388388 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improved ultraviolet/visible rejection ratio using MgZnO/SiO2/n-Si heterojunction photodetectors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We report on the fabrication and characterization of MgZnO/SiO2/n-Si structured photodetectors, for the visible-blind monitoring. The current-voltage curve of the heterojunction shows obvious rectifying behaviors. In the visible range, the photocurrent decreased rapidly. In additionally, the ultraviolet/visible rejection ratio (R340Â nm/R500Â nm) was about four orders of magnitude at reverse bias, indicating a high degree of visible blindness. The key role of the insulating SiO2 layer will be discussed in terms of the band diagrams of the heterojunctions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 21, 15 August 2010, Pages 6153-6156
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 21, 15 August 2010, Pages 6153-6156
نویسندگان
Da-Yong Jiang, Xi-Yan Zhang, Quan-Sheng Liu, Zhao-Hui Bai, Li-Ping Lu, Xiao-Chun Wang, Xiao-Yun Mi, Neng-Li Wang, De-Zhen Shen,