کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5368787 | 1388409 | 2010 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
H2 reactivity on the surfaces of In and Sn at 298 K
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The reactivity of H2 gas with the In and Sn surfaces was quantitatively measured by a volumetric method at pressures ranging from 10â7 to 10â2Â Pa at 298Â K. Significant enhancement of H2 reactivity was observed when O2 or H2O preadsorbed on the surface of In and Sn before H2 exposure. The formation of the oxygen deficient SnO2âx and In2O3âz in the surface layers is proposed as a reason for such a facilitating the H2 dissociation and resulting in the enhancement of the H2 reactivity at 298Â K.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 10, 1 March 2010, Pages 3321-3324
Journal: Applied Surface Science - Volume 256, Issue 10, 1 March 2010, Pages 3321-3324
نویسندگان
Masahiro Terashima, Rui Yamakawa, Yukinori Tani, Hirohisa Uchida, Shunsuke Kato, Yoshihito Matsumura, Haru-Hisa Uchida, Masashi Sato, Volodymyr A. Yartys, Jan Petter Maehlen,