کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5369669 | 1388447 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Prediction of lateral barrier height in identically prepared Ni/n-type GaAs Schottky barrier diodes
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Prediction of lateral barrier height in identically prepared Ni/n-type GaAs Schottky barrier diodes Prediction of lateral barrier height in identically prepared Ni/n-type GaAs Schottky barrier diodes](/preview/png/5369669.png)
چکیده انگلیسی
We have identically prepared Ni/n-GaAs/In Schottky barrier diodes (SBDs) with doping density of 7.3Â ÃÂ 1015Â cmâ3. The barrier height for the Ni/n-GaAs/In SBDs from the current-voltage characteristics have varied from 0.835 to 0.856Â eV, and ideality factor n from 1.02 to 1.08. We have determined a lateral homogeneous barrier height value of 0.862Â eV for the Ni/n-GaAs/In SBD from the experimental linear relationship between barrier heights and ideality factors.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 18, 15 July 2007, Pages 7467-7470
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 18, 15 July 2007, Pages 7467-7470
نویسندگان
H. DoÄan, H. Korkut, N. Yıldırım, A. Turut,