دانلود مقالات ISI درباره عدم انحرافات مانع + ترجمه فارسی

The investigation of current-conduction mechanisms (CCMs) in Au/ (0.07Zn-PVA)/n-4H-SiC (MPS) Schottky diodes (SDs) by using (I-V-T) measurements

Keywords: عدم انحرافات مانع; Au/(Zn-PVA)/n-4H-SiC (MPS) type Schottky diodes; Possible current-conduction mechanism; Barrier inhomogeneities; Double Gaussian distribution (DGD) of barrier height;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Temperature dependent properties of Al/rGO-ZnCdS Schottky diode and analysis of barrier inhomogeneities by double Gaussian distribution

Keywords: عدم انحرافات مانع; Nanocomposites; Electronic materials; Interfaces; rGO-ZnCdS Schottky diode; Barrier inhomogeneities; Double Gaussian distribution;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 11 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Analysis of temperature-dependant current-voltage characteristics and extraction of series resistance in Pd/ZnO Schottky barrier diodes

Keywords: عدم انحرافات مانع; Series resistance; Barrier inhomogeneities; Gaussian distribution & Modified Richardson plot;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Barrier inhomogeneities of platinum contacts to 4H-SiC

Keywords: عدم انحرافات مانع; SiC; Barrier inhomogeneities; Gaussian distribution; Thermionic emission; Thermionic field emission;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 26 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Temperature-dependent current–voltage characteristics of Pd/ZnO Schottky barrier diodes and the determination of the Richardson constant

Keywords: عدم انحرافات مانع; I–V characteristics; Temperature-dependent; Richardson constant; Barrier Inhomogeneities; Gaussian Distribution

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Current-voltage and capacitance-voltage characteristics of Al Schottky contacts to strained Si-on-insulator in the wide temperature range

Keywords: عدم انحرافات مانع; SSOI; Schottky contact; Barrier height; Ideality factor; Double Gaussian distribution; Barrier inhomogeneities;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

Double Gaussian distribution of barrier height for FeCrNiC alloy Schottky contacts on p-Si substrates

Keywords: عدم انحرافات مانع; 73.30.+y; 73.40.Qv; 73.40.Ns; p-Si; FeCrNiC; Schottky diode; Temperature dependent I-V measurement; Double Gaussian distribution; Barrier inhomogeneities;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Temperature-dependent electrical transport properties of (Au/Ni)/n-GaN Schottky barrier diodes

Keywords: عدم انحرافات مانع; Schottky barrier height; Current transport mechanism; Barrier inhomogeneities; Series resistance

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Electrical properties and the double Gaussian distribution of inhomogeneous barrier heights in Se/n-GaN Schottky barrier diode

Keywords: عدم انحرافات مانع; Se/n-GaN Schottky diode; Electrical characteristics; Barrier inhomogeneities; Gaussian distribution; Current transport mechanism;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 14 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Temperature dependence of forward and reverse bias current–voltage characteristics in Al–TiW–PtSi/n-Si Schottky barrier diodes with the amorphous diffusion barrier

Keywords: عدم انحرافات مانع; MS structures; PtSi/n-Si contacts; Intersection point; Barrier inhomogeneities; Gaussian distribution

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Investigation of barrier inhomogeneities in Mo/4H–SiC Schottky diodes

Keywords: عدم انحرافات مانع; 4H–SiC; Schottky diodes; Current–voltage characteristics; Barrier inhomogeneities

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Electrical transport characteristics of Ni/Pd/n-GaN Schottky barrier diodes as a function of temperature

Keywords: عدم انحرافات مانع; Ni/Pd Schottky contacts; n-type GaN; Current transport mechanisms; Barrier inhomogeneities; Thermionic emission; Themionic field emission

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Analysis of barrier height inhomogeneity in Au/n-GaAs Schottky barrier diodes by Tung model

Keywords: عدم انحرافات مانع; GaAs; Schottky diode; I–V measurements; Gaussian distribution; Barrier inhomogeneities

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Measurement and modelling of the characteristic parameters for silver Schottky contacts on layered p-GaSe compound in a wide temperature range

Keywords: عدم انحرافات مانع; 73.30.+y; 73.40.Qv; 73.40.NsGaSe; Layered crystal; Crystal growth; Schottky diode; Temperature dependent I–V measurement; Double Gaussian distribution; Barrier inhomogeneities

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Analysis of temperature dependent I–VI–V measurements on Pd/ZnO Schottky barrier diodes and the determination of the Richardson constant

Keywords: عدم انحرافات مانع; 71.55.--i; 72.10.Bg; 72.20.Jv; 79.40.++zSchottky contacts; Electrical characterization; Richardson constant; Barrier inhomogeneities; Barrier height; DLTS

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

A theoretical analysis together with experimental data of inhomogeneous Schottky barrier diodes

Keywords: عدم انحرافات مانع; 73.30.+y; 73.40.Ns; 73.40.QvSchottky diodes; Gaussian distribution; Numerical simulation; Current–voltage characteristics; Barrier inhomogeneities; Metal semiconductor contacts; GaAs

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Barrier characteristics of gold Schottky contacts on moderately doped n-InP based on temperature dependent I–V and C–V measurements

Keywords: عدم انحرافات مانع; 73.30.+y; 73.40.Qv; 73.40.NsInP; Schottky diode; Temperature dependent I–V and C–V measurements; Gaussian distribution; Barrier inhomogeneities

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2009 سفارش ترجمه

Correlation between barrier heights and ideality factors of H-terminated Sn/p-Si(1 0 0) Schottky barrier diodes

Keywords: عدم انحرافات مانع; Schottky barriers; Metal–semiconductor interfaces; Thermionic emission; Silicon; Barrier inhomogeneities

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Prediction of lateral barrier height in identically prepared Ni/n-type GaAs Schottky barrier diodes

Keywords: عدم انحرافات مانع; Schottky barrier diodes; Metal-semiconductor contacts; Barrier inhomogeneities; GaAs;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Analysis of current-voltage characteristics of inhomogeneous Schottky diodes at low temperatures

Keywords: عدم انحرافات مانع; 73.30.+y; 73.40.Ns; 73.40.Qv; Schottky diodes; Gaussian distribution; Numerical simulation; Current-voltage characteristics; Barrier inhomogeneities;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه