کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
1553470 1513234 2014 14 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical properties and the double Gaussian distribution of inhomogeneous barrier heights in Se/n-GaN Schottky barrier diode
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electrical properties and the double Gaussian distribution of inhomogeneous barrier heights in Se/n-GaN Schottky barrier diode
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Superlattices and Microstructures - Volume 67, March 2014, Pages 242-255
نویسندگان
, , , ,