کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5370146 | 1388475 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The effect of hydrogen as an additive in reactive ion etching of GaAs for obtaining polished surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The effect of hydrogen on the reactive ion etching (RIE) of GaAs in the CF2Cl2 plasma is discussed. The addition of hydrogen into the reaction mixture improves the sharpness of etch borders; the etched surface is smooth for etching depth > 1 μm, etching rate is time-constant.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 3, 30 November 2006, Pages 1287-1290
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 3, 30 November 2006, Pages 1287-1290
نویسندگان
F.N. Dultsev, L.A. Nenasheva,