کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5370258 | 1388479 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A transmission electron microscopy study on the atomic arrangement and grain growth of hexagonal structured Ge2Sb2Te5
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The atomic arrangement and grain growth of the hexagonal structured Ge2Sb2Te5 were investigated by a transmission electron microscopy study. Unlike the isotropic crystallization of face-centered-cubic (fcc) structured Ge2Sb2Te5, the hexagonal structured Ge2Sb2Te5 grain was preferably grown to a large degree with a specific direction. As a result, we have revealed that the grain growth occurred parallel to the (0 0 0 1) plane, and identified the atomic arrangement of the hexagonal structured Ge2Sb2Te5 having nine cyclic layers by analyzing the high-resolution transmission electron microscopy images and simulated images obtained in the direction of ã112¯0ã zone axis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 2, 15 November 2006, Pages 714-719
Journal: Applied Surface Science - Volume 253, Issue 2, 15 November 2006, Pages 714-719
نویسندگان
Yu Jin Park, Jeong Yong Lee, Yong Tae Kim,