دانلود مقالات ISI درباره Ge2Sb2Te5 + ترجمه فارسی

Microstructure evolution of the crystallization of amorphous Ge2Sb2Te5 thin films induced by single picosecond pulsed laser

Keywords: Ge2Sb2Te5; Crystallization; Picosecond laser; TEM;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2018 سفارش ترجمه

Tunable broadband near-infrared absorber based on ultrathin phase-change material

Keywords: Metal-dielectric multilayered film structure; Ge2Sb2Te5; Near-infrared light absorber; Modulation depth; Extinction ratio;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Epitaxial formation of cubic and trigonal Ge-Sb-Te thin films with heterogeneous vacancy structures

Keywords: Phase change materials; Epitaxial; Ge2Sb2Te5; X-ray diffraction; High-resolution STEM;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 24 صفحه سال انتشار : 2017 سفارش ترجمه

Direct evidence of reactive ion etching induced damages in Ge2Sb2Te5 based on different halogen plasmas

Keywords: Ge2Sb2Te5; Reactive ion etching; Etch damage; Phase change memory;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

Epitaxial Ge2Sb2Te5 films on Si(111) prepared by pulsed laser deposition

Keywords: Phase change materials; Ge2Sb2Te5; Epitaxial growth; Pulsed laser deposition; XRD; In-plane pole figures;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

A cross sectional study on the crystallization of amorphous Ge2Sb2Te5 films induced by a single-pulse ultraviolet laser

Keywords: Ge2Sb2Te5; TEM; Finite element model; Crystallization

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2016 سفارش ترجمه

The phase-change kinetics of amorphous Ge2Sb2Te5 and device characteristics investigated by thin-film mechanics

Keywords: Ge2Sb2Te5; Crystallization; Thin-film mechanics; Fragility; Doping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 9 صفحه سال انتشار : 2015 سفارش ترجمه

First-principles investigations of electronic and mechanical properties for stable Ge2Sb2Te5 with van der Waals corrections

Keywords: Ge2Sb2Te5; Phase-change materials; Van der Waals-type bonding; Hybrid functions;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Morphology and crystalline phase characteristics of α-GST films irradiated by a picosecond laser

Keywords: Ge2Sb2Te5; Morphology; Phase change; Picosecond laser;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2014 سفارش ترجمه

Endpoint detection of Ge2Sb2Te5 during chemical mechanical planarization

Keywords: Endpoint detection; Ge2Sb2Te5; Chemical mechanical planarization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Crystallization of amorphous Ge2Sb2Te5 films induced by an ultraviolet laser

Keywords: Crystallization; Phase-change material; Ge2Sb2Te5; Ultraviolet laser;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Investigation of the phase transition of Ge2Sb2Te5 films using internal friction method

Keywords: Phase transition; Ge2Sb2Te5; Internal friction;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

High tolerance of proton irradiation of Ge2Sb2Te5 phase change material

Keywords: Phase change material; Ge2Sb2Te5; Proton irradiation; Radiation damage

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Structural and compositional evolution of carbon-doped Ge2Sb2Te5 film under different annealing conditions

Keywords: Ge2Sb2Te5; Carbon; Oxygen; Phase change; Annealing;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Investigation on nitrogen-doped Ge2Sb2Te5 material for phase-change memory application

Keywords: Phase change material; Ge2Sb2Te5; Nitrogen doping; Electrical switching

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Phase change behavior and critical size of Ge2Sb2Te5 nanowires and nanotubes

Keywords: Phase change memory; Nanoscale; Critical size; Melting; Crystallization; Ge2Sb2Te5

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Ge2Sb2Te5 layer used as solid electrolyte in conductive-bridge memory devices fabricated on flexible substrate

Keywords: Non-volatile memory; RRAM; Conductive-bridge memory; Atomic switches; Atomic force microscopy; Flexible electronics; Ge2Sb2Te5; GST

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2013 سفارش ترجمه

Temperature-dependent phase separation during annealing of Ge2Sb2Te5 thin films in vacuum

Keywords: Phase separation; Ge2Sb2Te5; X-ray photoelectron spectroscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Influence of dopants on atomic migration and void formation in molten Ge2Sb2Te5 under high-amplitude electrical pulse

Keywords: Phase-change random access memory; Ge2Sb2Te5; Electromigration; Void; Doping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 10 صفحه سال انتشار : 2012 سفارش ترجمه

Advantages of SixSb2Te phase-change material and its applications in phase-change random access memory

Keywords: Phase-change material; Phase-change memory; SixSb2Te; Ge2Sb2Te5

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

In situ AFM and Raman spectroscopy study of the crystallization behavior of Ge2Sb2Te5 films at different temperature

Keywords: Ge2Sb2Te5; Crystallization; AFM; Raman spectroscopy; Temperature control;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

SET/RESET properties dependence of phase-change memory cell on thickness of phase-change layer

Keywords: Phase-change memory; Thickness of phase-change layer; Ge2Sb2Te5; SET/RESET resistance; I-V curve; Threshold voltage;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

The role of hydrogen in hot wire chemical vapor deposition of Ge-Sb-Te thin films

Keywords: Chalcogenide; Hot wire; Hydrogen; Chemical vapor deposition; Ge2Sb2Te5

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2011 سفارش ترجمه

Effective method for preparation of oxide-free Ge2Sb2Te5 surface: An X-ray photoelectron spectroscopy study

Keywords: Surface cleaning; XPS; Phase change; Ge2Sb2Te5;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Enhanced thermal efficiency for amorphization in nano-structured Ge2Sb2Te5-TiOx films

Keywords: Ge2Sb2Te5; Ge2Sb2Te5-TiOx; Amorphization; Laser melting;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Fabrication of nano-scale phase change materials using nanoimprint lithography and reactive ion etching process

Keywords: PRAM; Phase change material; Ge2Sb2Te5; Nano imprint lithography

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2010 سفارش ترجمه

Thermal stress effects of Ge2Sb2Te5 phase change material: Irreversible modification with Ti adhesion layers and segregation of Te

Keywords: Phase change material; Ge2Sb2Te5; Ti; Stress

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Characterization of nanoscale recording mark on Ge2Sb2Te5 film

Keywords: 81.07.−b; 81.16.Nd; 68.37.Ps; 73.61.JcAtomic force microscopy; Phase change; Ge2Sb2Te5; Nanoscale mark; I–V spectroscopy; Crystallization

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Change in local atomic and chemical bonding structures of Ge2Sb2Te5 alloys by isothermal heat treatment

Keywords: Ge2Sb2Te5; Phase change materials; X-ray diffraction; X-ray photoelectron spectroscopy; X-ray absorption fine structure

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Thermomechanical properties and mechanical stresses of Ge2Sb2Te5 films in phase-change random access memory

Keywords: Ge2Sb2Te5; Biaxial modulus; Coefficient of thermal expansion; Phase-change random access memory; Thermal stress; Phase-change stress; Finite element analysis

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

In situ dynamic HR-TEM and EELS study on phase transitions of Ge2Sb2Te5 chalcogenides

Keywords: 61.16.Bg; 61.82.Fk; 64.70.Kb; Transmission electron microscopy (TEM); Electron energy loss spectroscopy (EELS); In situ dynamics; Phase transition; Ge2Sb2Te5; Nitrogen doping;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 12 صفحه سال انتشار : 2008 سفارش ترجمه

Effect of thermal annealing on microstructural properties of Ti/Ge2Sb2Te5/Ti thin films deposited on SiO2/Si substrates by a sputtering method

Keywords: 68.37.Lp; 68.55.Jk; 61.50.Ks; Ge2Sb2Te5; Diffusion; Transmission electron microscopy;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Effects of bottom electrode and environmental insulator on thermal distribution of edge contact-type PRAM cell

Keywords: Ge2Sb2Te5; Phase change memory; Chalcogenide

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Patterning of Ge2Sb2Te5 phase change material using UV nano-imprint lithography

Keywords: PRAM; Phase change material; Ge2Sb2Te5; Nano-imprint lithography

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characterization of Agx(Ge2Sb2Te5)1 − xthin film by RF magnetron sputtering

Keywords: Phase change memory; Ge2Sb2Te5; Co-sputtering; Ag; Crystallization;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Phase-change memory devices with stacked Ge-chalcogenide/Sn-chalcogenide layers

Keywords: Phase-change memory; PCRAM; Non-volatile; GeTe; Ge2Se3; SnTe; SnSe; GST; Ge2Sb2Te5

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2007 سفارش ترجمه

Characterization of Ge2Sb2Te5 thin film transistor and its application in non-volatile memory

Keywords: TFT; Phase change memory; Ge2Sb2Te5

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 4 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

In situ transmission electron microscopy study of the nucleation and grain growth of Ge2Sb2Te5 thin films

Keywords: 68.37.Lp; 68.55.Jk; 61.50.Ks; Ge2Sb2Te5; Transmission electron microscopy; Nucleation; Grain growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Preparation and observation of an artifact-free Ge2Sb2Te5 TEM specimen by the small angle cleavage technique

Keywords: PRAM; Ge2Sb2Te5; Phase change memory; TEM; SACT

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 5 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

A transmission electron microscopy study on the atomic arrangement and grain growth of hexagonal structured Ge2Sb2Te5

Keywords: Ge2Sb2Te5; Transmission electron microscopy; Atomic arrangement; Grain growth;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Effects of Si doping on the structural and electrical properties of Ge2Sb2Te5 films for phase change random access memory

Keywords: 61.43.Dq; 68.55.In; 81.30.Hd; 84.37.+q; Si doping; Ge2Sb2Te5; Activation energy; Resistivity; Dynamic resistance; Phase-change memory;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2006 سفارش ترجمه

Structure and sheet resistance of boron-implanted Ge2Sb2Te5 phase change film

Keywords: 77.84.Bw; 85.40.Ry; 73.61.At; 61.66.Dk; Ge2Sb2Te5; B-implantation; Structure; Sheet resistance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Indium selenide (In2Se3) thin film for phase-change memory

Keywords: Phase-change random access memory (PRAM); Phase-change memory (PCM); Phase-change resistor; In2Se3; Ge2Sb2Te5; Static mode switching; Pulsed mode switching; Reset; Set; Switching dynamic range;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 6 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of N-implantation on the structural and electrical characteristics of Ge2Sb2Te5 phase change film

Keywords: 73.61.Jc; 61.72.Ww; 61.66Dk; Ge2Sb2Te5; N-implantation; Structure; Sheet resistance;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 7 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه

Effect of O-implantation on the structure and resistance of Ge2Sb2Te5 film

Keywords: Ge2Sb2Te5; Oxygen implantation; Structure; Sheet resistance; Raman spectra;

دانلود رایگان متن کامل مقاله ISI 8 صفحه سال انتشار : 2005 سفارش ترجمه