کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543999 | 871698 | 2007 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Phase-change memory devices with stacked Ge-chalcogenide/Sn-chalcogenide layers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Phase-change memory devices with stacked Ge-chalcogenide/Sn-chalcogenide layers Phase-change memory devices with stacked Ge-chalcogenide/Sn-chalcogenide layers](/preview/png/543999.png)
چکیده انگلیسی
Non-volatile memory devices with two stacked layers of chalcogenide materials comprising the active memory device have been investigated for their potential as phase-change memories. The devices tested consisted of GeTe/SnTe, Ge2Se3/SnTe, and Ge2Se3/SnSe stacks. All devices exhibited resistance switching behavior. The polarity of the applied voltage with respect to the SnTe or SnSe layer was critical to the memory switching properties, most likely due to the voltage induced movement of either Sn or Te into the Ge-chalcogenide layer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 1, January 2007, Pages 52–59
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 1, January 2007, Pages 52–59
نویسندگان
Kristy A. Campbell, Christopher M. Anderson,