کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1665778 | 1518056 | 2013 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural and compositional evolution of carbon-doped Ge2Sb2Te5 film under different annealing conditions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Structural and compositional evolution of carbon-doped Ge2Sb2Te5 film under different annealing conditions Structural and compositional evolution of carbon-doped Ge2Sb2Te5 film under different annealing conditions](/preview/png/1665778.png)
چکیده انگلیسی
Changes in the microstructural and electrical properties of carbon-doped Ge2Sb2Te5 during thermal annealing under N2 and air atmospheres are investigated. The occurrence of compositional and structural changes was found to depend on the annealing conditions, and in particular, on the out-diffusion of germanium atoms. The thick oxidation layer generated during air annealing prevented germanium out-diffusion, leading to structural changes but no compositional changes. In contrast, germanium out-diffusion occurred during annealing under N2, leading to compositional changes but preventing structural changes.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Thin Solid Films - Volume 548, 2 December 2013, Pages 40-43
Journal: Thin Solid Films - Volume 548, 2 December 2013, Pages 40-43
نویسندگان
Ki-Hong Kim, Yong-Koo Kyoung, Dong-Jin Yun, Sang-Jun Choi,