کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5370400 | 1388488 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low-temperature MOVPE growth of ZnO thin films by using a buffer layer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Low-temperature MOVPE growth of ZnO thin films by using a buffer layer Low-temperature MOVPE growth of ZnO thin films by using a buffer layer](/preview/png/5370400.png)
چکیده انگلیسی
ZnO thin films have been grown on a-plane (1,1,â2,0) sapphire substrates by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) at low substrate temperature of 350 °C. It is showed that the crystal and electrical quality of the thin films was improved by using a ZnO buffer layer. The photoluminescence (PL) measurements indicate that the ZnO thin films grown at such a low substrate temperature have a strong UV emission.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 16, 15 June 2006, Pages 5926-5929
Journal: Applied Surface Science - Volume 252, Issue 16, 15 June 2006, Pages 5926-5929
نویسندگان
W.Z. Xu, Z.Z. Ye, L. Jiang, Y.J. Zeng, L.P. Zhu, B.H. Zhao,