کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541785 | 871493 | 2013 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of power devices with drift region integrated microchannel cooler
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
This paper introduces the DRIMCooler—an innovative concept allowing to integrate the heat exchanger directly into the active region of a vertical power device. Based on the realization of vertical edge terminations and the use of dielectric coolant fluid circulation, arrays of through wafer channels are etched in the silicon substrate offering a large heat exchange coefficient while minimizing the pressure drops. The concept is introduced and discussed with respect to the technological and the electrical issues. The thermal analysis is based on numerical models and simulations. The obtained results show excellent thermal and hydraulic performances of the DRIMCooler concept.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 44, Issue 11, November 2013, Pages 994–1004
Journal: Microelectronics Journal - Volume 44, Issue 11, November 2013, Pages 994–1004
نویسندگان
Kremena Vladimirova, Yvan Avenas, Jean-Christophe Crebier, Christian Schaeffer, Fabien Lebouc, Mansour Tawk,