کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
541954 | 871503 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Accurate silicon dummy structure model for nonlinear microwave FinFET modeling
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The dummy test structures based de-embedding techniques allow one to quickly subtract out part of the parasitic contributions from the microwave transistor measurements without the need of explicit determination of the associated circuit model. But this means that the problem of determining the complex network representing the dummy structures is only by-passed rather than solved. Consequently, this paper is aimed at extracting accurate lumped element models for silicon “open” and “short” structures in order to extend the nonlinear microwave modeling of on-wafer FinFETs at the calibration plane corresponding to the probe tips without need of any shift of the reference plane.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 9, September 2010, Pages 574–578
Journal: Microelectronics Journal - Volume 41, Issue 9, September 2010, Pages 574–578
نویسندگان
Giovanni Crupi, Dominique M.M.-P. Schreurs, Alina Caddemi,