کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422387 | 1507912 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemical vapor deposition of ordered TiOx nanostructures on Au(111)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Titanium dioxide - دی اکسید تیتانیومChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییGold - طلاSynchrotron radiation photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتریک تابش SynchrotronScanning tunneling microscopy - میکروسکوپ تونلی روبشی Low-energy electron diffraction - پراش الکترونی کم انرژی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The deposition of TiOx (x â¤Â 2) structures on Au(111) by chemical vapor deposition (CVD) in ultrahigh vacuum (UHV) has been investigated with high-resolution core level photoelectron spectroscopy (PES), low-energy electron diffraction (LEED) and scanning tunneling microscopy (STM). Using titanium tetra-isopropoxide as single source precursor it is possible to form different TiOx phases on the surface after deposition: at low coverages, we observe large two-dimensional (2D) honeycomb-lattice Ti2O3 islands with a (2 Ã 2) registry with the substrate. Higher coverages are dominated by the formation of three-dimensional (3D) TiO2 structures. The TiO2 structures are atomically well ordered provided that the deposition temperature is high enough (500 °C). The ordered structure exhibits a LEED pattern characteristic for a rectangular surface unit cell. By performing the deposition at different temperatures it is possible to tune the balance between the 2D and 3D phases: Growth at 500 °C significantly favors the formation of 3D TiO2 islands as compared to growth at 200 °C and 300 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 617, November 2013, Pages 211-217
Journal: Surface Science - Volume 617, November 2013, Pages 211-217
نویسندگان
D. Ragazzon, A. Schaefer, M.H. Farstad, L.E. Walle, P. Palmgren, A. Borg, P. Uvdal, A. Sandell,