کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422477 | 1507914 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ab-initio study of new Ga-rich GaAs(001) surface (4Â ÃÂ 4) reconstruction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Atomic and electronic structures for a number of GaAs(001) surface geometries were studied within the density functional theory (DFT) in order to re-examine the energy stability of surface reconstructions in the Ga-rich limit. The (2Â ÃÂ 4) mixed-dimer model developed for InP(001)-(2Â ÃÂ 4) surface was adopted for Ga-rich GaAs(001)-(2Â ÃÂ 4) surface. It is shown that the energetically favored Ga-rich (2Â ÃÂ 4) reconstructions are stabilized by dimerized Ga and As atoms. Our DFT calculations predict the coexistence of (2Â ÃÂ 4) and (4Â ÃÂ 4) reconstructions on GaAs(001) in the Ga-rich limit.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 615, September 2013, Pages 97-102
Journal: Surface Science - Volume 615, September 2013, Pages 97-102
نویسندگان
A.V. Bakulin, S.E. Kulkova, S.V. Eremeev, O.E. Tereshchenko,