کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5422607 | 1507931 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Origin of enhanced Ge interdiffusion at the initial stage of Ge deposition on Si(5 5 12)-2Â ÃÂ 1: Tensile stress induced by substrate chain structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Semiconductor–semiconductor interfaces - رابط نیمه هادی نیمه هادیSurface structure, morphology, roughness, and topography - ساختار سطح، مورفولوژی، زبری و توپوگرافیHigh index single crystal surfaces - سطوح تک کریستال شاخص بالاsilicon - سیلیسیم Scanning tunnelling microscopy - میکروسکوپ تونلی اسکن کردنDiffusion and migration - پخش و مهاجرتgermanium - ژرمانیوم
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Noble and enhanced Ge-indiffusion found on Si(5 5 12)-2 Ã 1. ⺠Tensile stress induced by chain structures provides enhanced Ge-indiffusion. ⺠Displacive and 1D adsorption of Si atoms provides the seed of faceting. ⺠Replacing hierarchy by Ge: Up-atom â Subsurface-atom â Down-atom.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 7â8, April 2012, Pages 744-748
Journal: Surface Science - Volume 606, Issues 7â8, April 2012, Pages 744-748
نویسندگان
Hidong Kim, Otgonbayar Dugerjav, Ganbat Duvjir, Huiting Li, Jae M. Seo,