کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542317 | 1450488 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Hybrid organic-on-inorganic heterostructures employing phthalocyanine molecular semiconductor and doped silicon were fabricated using standard microelectronic processes. Current-vs-voltage characteristics display rectifying behavior of such heterostructures, which becomes more pronounced if n-type phthalocyanine layer is utilized. Competitive influence of phthalocyanine/metal and phthalocyanine/p-Si interface on electrical transport in the devices is discussed. Heterostructures with lead phthalocyanine layer show photoconductive properties in the NIR domain when illuminated through p-Si side.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 6–7, June–July 2007, Pages 682–685
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 6–7, June–July 2007, Pages 682–685
نویسندگان
Georgy L. Pakhomov, Evgeny S. Leonov, Alexander Yu. Klimov,