کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
542317 1450488 2007 4 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Rectification and NIR photoresponse in p-Si/phthalocyanine/metal heterostructures
چکیده انگلیسی

Hybrid organic-on-inorganic heterostructures employing phthalocyanine molecular semiconductor and doped silicon were fabricated using standard microelectronic processes. Current-vs-voltage characteristics display rectifying behavior of such heterostructures, which becomes more pronounced if n-type phthalocyanine layer is utilized. Competitive influence of phthalocyanine/metal and phthalocyanine/p-Si interface on electrical transport in the devices is discussed. Heterostructures with lead phthalocyanine layer show photoconductive properties in the NIR domain when illuminated through p-Si side.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issues 6–7, June–July 2007, Pages 682–685
نویسندگان
, , ,