کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423322 | 1507940 | 2011 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
TiO2 chemical vapor deposition on Si(111) in ultrahigh vacuum: Transition from interfacial phase to crystalline phase in the reaction limited regime
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
Titanium dioxide - دی اکسید تیتانیومCrystalline–amorphous interfaces - رابط های بلورین-آمورفChemical vapor deposition - رسوب بخار شیمیایی یا انباشت به روش تبخیر شیمیاییGrowth - رشدLow index single crystal surfaces - سطوح منفرد کریستال پایینX-ray absorption spectroscopy - طیف سنجی جذب اشعه ایکسSynchrotron radiation photoelectron spectroscopy - طیف سنجی فوتوالکتریک تابش SynchrotronScanning tunneling microscopy - میکروسکوپ تونلی روبشی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Detailed study of metal organic chemical vapor deposition of TiO2 on Si(111). ⺠Surface chemistry of titanium(IV) tetra isopropoxide on Si(111), SiOx and TiO2. ⺠Understanding of the changeover from reaction-limited growth to flux-limited growth. ⺠Importance of the surface stability of carbonaceous compounds. ⺠The transition from an amorphous interface to crystalline anatase TiO2 was monitored.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 13â14, July 2011, Pages 1147-1156
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 13â14, July 2011, Pages 1147-1156
نویسندگان
P.G. Karlsson, J.H. Richter, M.P. Andersson, M.K.-J. Johansson, J. Blomquist, P. Uvdal, A. Sandell,