کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423336 | 1507940 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Surface reactions of TiCl4 and Al(CH3)3 on GaAs(100) during the first half-cycle of atomic layer deposition
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Surface reactions of TiCl4 and Al(CH3)3 on GaAs(100) during the first half-cycle of atomic layer deposition Surface reactions of TiCl4 and Al(CH3)3 on GaAs(100) during the first half-cycle of atomic layer deposition](/preview/png/5423336.png)
چکیده انگلیسی
⺠Al(CH3)3 and TiCl4 pulses mimic the first half-cycle of atomic layer deposition. ⺠Both precursors removed the oxide left on GaAs(100) after aqueous HF treatment. ⺠Al(CH3)3 deposited an Al2O3 layer. ⺠TiCl4 deposited a small TiO2 coverage below 135 °C, but no TiO2 was deposited from 170-230 °C. ⺠The GaAs surface was passivated by Cl atoms bound to an elemental As overlayer.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 13â14, July 2011, Pages 1243-1248
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 13â14, July 2011, Pages 1243-1248
نویسندگان
Bernal Granados-Alpizar, Anthony J. Muscat,