کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
5423347 1507940 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure and band alignment of 9,10-phenanthrenequinone passivated silicon surfaces
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Electronic structure and band alignment of 9,10-phenanthrenequinone passivated silicon surfaces
چکیده انگلیسی
► 9,10-phenanthrenequinone (PQ) passivates dangling bonds on the silicon(100) surface. ► PQ is deposited at room temperature but leads to electronically ideal Si surfaces. ► PQ reacts with Si surface atoms to form a 9,10-dihydroxyphenanthrene adduct. ► PQ/Si interface is a staggered (type-I) heterojunction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 13–14, July 2011, Pages 1308-1312
نویسندگان
, , , , , ,