کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5423347 | 1507940 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electronic structure and band alignment of 9,10-phenanthrenequinone passivated silicon surfaces
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electronic structure and band alignment of 9,10-phenanthrenequinone passivated silicon surfaces Electronic structure and band alignment of 9,10-phenanthrenequinone passivated silicon surfaces](/preview/png/5423347.png)
چکیده انگلیسی
⺠9,10-phenanthrenequinone (PQ) passivates dangling bonds on the silicon(100) surface. ⺠PQ is deposited at room temperature but leads to electronically ideal Si surfaces. ⺠PQ reacts with Si surface atoms to form a 9,10-dihydroxyphenanthrene adduct. ⺠PQ/Si interface is a staggered (type-I) heterojunction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 13â14, July 2011, Pages 1308-1312
Journal: Surface Science - Volume 605, Issues 13â14, July 2011, Pages 1308-1312
نویسندگان
Sushobhan Avasthi, Yabing Qi, Grigory K. Vertelov, Jeffrey Schwartz, Antoine Kahn, James C. Sturm,