کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5424595 | 1395830 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Barrier heights at the SnO2/Pt interface: In situ photoemission and electrical properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The SnO2/Pt contact has been investigated using in situ photoelectron spectroscopy and electrical 2-point and 4-point conductivity measurements. A remarkable increase of barrier height from 0.4Â eV to 0.9Â eV is observed after annealing the as-deposited contact in 0.5Â Pa oxygen atmosphere. Subsequent annealing in vacuum reduces the barrier height again. Despite the expected large barrier height, the current-voltage characteristics displays ohmic behavior. The discrepancy between photoemission and electrical behavior is attributed to the polycrystalline nature of the SnO2 film used in this study, leading to an inhomogeneous Schottky barrier height along the surface of polycrystalline specimens.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 21, 1 November 2008, Pages 3246-3252
Journal: Surface Science - Volume 602, Issue 21, 1 November 2008, Pages 3246-3252
نویسندگان
Christoph Körber, Steven P. Harvey, Thomas O. Mason, Andreas Klein,