کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542491 | 871556 | 2009 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular-beam epitaxy growth and characterization of mid-infrared quantum cascade laser structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The development of molecular-beam epitaxy (MBE) of GaAs/AlGaAs heterostructures, used for fabrication of ∼9 μm quantum cascade lasers (QCLs), is reported. The X-ray diffractometry (XRD) structural characterization, as an integral part of this process, is presented as well. Some conclusions, concerning the relationships between the used type of epitaxial technology and the necessity of special procedures of growth rate (Vgr) calibration, are reached. The influence of the structural features of the QCL active region on the electronic band structure is calculated, and consequently some predictions as to the device electrical properties are presented as well.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 3, March 2009, Pages 565–569
Journal: Microelectronics Journal - Volume 40, Issue 3, March 2009, Pages 565–569
نویسندگان
Kamil Kosiel, Justyna Kubacka-Traczyk, Piotr Karbownik, Anna Szerling, Jan Muszalski, Maciej Bugajski, Przemek Romanowski, Jarosław Gaca, Marek Wójcik,