کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425047 | 1395846 | 2007 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metastable precursor for oxygen dissociation on Si(0 0 1) 2 Ã 1 resolved by high lateral resolution work function measurements
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The development of contact potential difference (CPD) inhomogeneities on oxide-covered silicon samples was investigated by monitoring the CPD of a clean Si(0Â 0Â 1) 2Â ÃÂ 1 surface during exposure to molecular oxygen with Kelvin Probe Force Microscopy. A steady fluctuation level is reached within the completion of a monolayer of oxide. Non-continuous oxygen exposure at room temperature and at lower temperatures unequivocally demonstrates the coexistence of two oxidation processes. One of these processes involves a metastable precursor to oxygen dissociation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 12, 15 June 2007, Pages 2498-2507
Journal: Surface Science - Volume 601, Issue 12, 15 June 2007, Pages 2498-2507
نویسندگان
J.M. Sturm, G.O. Croes, H. Wormeester, Bene Poelsema,