کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542540 | 871559 | 2008 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
A simple oxidation technique for quantum dot dimension shrinkage and tunnel barriers generation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The tunnel barriers generation and the quantum dot size shrinkage play a significant role in single-electron transistor (SET) fabrication. Because the numerically etch indicators were not found, the technical indicators, high contrast surface and high smoothness surface were used to optimize the etch process. Si nanostructures oxidation using either oxidation furnace or rapid thermal processing (RTP) equipment can result in silicon dioxide (SiO2)-embedded-Si. In this research, we compare the furnace-oxidized-Si nanostructures with the RTP-oxidized-Si nanostructures. The oxidation rate of Si nanostructures using a furnace is 0.36 nm/s, while the oxidation rate of Si nanostructures using RTP is 2.16 nm/s.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issue 5, May 2008, Pages 727–731
Journal: Microelectronics Journal - Volume 39, Issue 5, May 2008, Pages 727–731
نویسندگان
M. Sutikno, U. Hashim, Z.A.Z. Jamal,