کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5425972 | 1395871 | 2006 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Following the oxidation of yttrium silicide epitaxially grown on Si(1 1 1) by core level photoemission spectroscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Following the oxidation of yttrium silicide epitaxially grown on Si(1 1 1) by core level photoemission spectroscopy Following the oxidation of yttrium silicide epitaxially grown on Si(1 1 1) by core level photoemission spectroscopy](/preview/png/5425972.png)
چکیده انگلیسی
We have identified, by means of synchrotron radiation X-ray photoemission spectroscopy, several core-level shifted components in the Si-2p photoemission core level peak from a thin yttrium silicide layer epitaxially grown on a Si(1Â 1Â 1) surface. We have unequivocally assigned these components to different environments of the Si atoms in the silicide structure. This information has been used to monitor a surface oxidation process promoted by room temperature oxygen adsorption, identifying the final product of this reaction as a silicate-type ternary compound.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 4, 15 February 2006, Pages 841-846
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 4, 15 February 2006, Pages 841-846
نویسندگان
C. Rogero, S. Lizzit, A. Goldoni, J.A. MartÃn-Gago,