کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426399 | 1395889 | 2006 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electron surface states in short-period superlattices: (GaAs)2/(AlAs)2(1 0 0)-c(4 Ã 4)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Electron surface states in short-period superlattices: (GaAs)2/(AlAs)2(1 0 0)-c(4 Ã 4) Electron surface states in short-period superlattices: (GaAs)2/(AlAs)2(1 0 0)-c(4 Ã 4)](/preview/png/5426399.png)
چکیده انگلیسی
The electronic structure of (GaAs)2/(AlAs)2(1Â 0Â 0)-c(4Â ÃÂ 4) superlattice surfaces was studied by means of angular-resolved photoelectron spectroscopy (ARUPS) in the photon energy range 20-38Â eV. Four samples with different surface termination layers were grown and As-capped by molecular beam epitaxy (MBE). ARUPS measurements were performed on decapped samples with perfect c(4Â ÃÂ 4) reconstructed surfaces. An intensive surface state was, for the first time, observed below the top of the valence band. This surface state was found to shift with superlattices' different surface termination in agreement with theoretical predictions.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 18, 15 September 2006, Pages 3646-3649
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 18, 15 September 2006, Pages 3646-3649
نویسندگان
P. JiÅÃÄek, M. Cukr, I. BartoÅ¡, M. Adell, T. Strasser, W. Schattke,