کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
5426416 | 1395889 | 2006 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Chemistry and formation process of Ga(Al)As oxide during local anodic oxidation nanolithography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی تئوریک و عملی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
We present our investigation on the early stage of the photon induced desorption of oxide nanostructures grown on GaAs/AlAs/GaAs heterostructures. The oxide structures were fabricated by local anodic oxidation performed by means of an atomic force microscope. We observed that after a first rapid evolution in which a thick layer of heterogeneous material is removed, the oxide composition remains almost constant. These results support our model in which the oxidation process on a layered material resembles a melting process and produces a mixed material whose composition is the average of the initial one.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 18, 15 September 2006, Pages 3739-3743
Journal: Surface Science - Volume 600, Issue 18, 15 September 2006, Pages 3739-3743
نویسندگان
M. Lazzarino, G. Mori, L. Sorba, D. Ercolani, G. Biasiol, S. Heun, A. Locatelli,