کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542643 | 871564 | 2007 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Simulation and analysis of metamorphic high electron mobility transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Simulation and analysis of metamorphic high electron mobility transistors Simulation and analysis of metamorphic high electron mobility transistors](/preview/png/542643.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, the metamorphic high electron mobility transistors (mHEMTs) are investigated numerically and compared with pseudo-morphic high electron mobility transistors (pHEMTs). The two-dimensional device simulator, MEDICI, is used to solve the Poisson's equation and the electron/hole current continuity equations. The influences of δ-doping concentration and position, gate width, spacer thickness, etc. on the performances of HEMTs are explored. It shows clearly that mHEMTs have higher transconductances, drain currents and DC voltage swings than pHEMTs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 2, February 2007, Pages 251–254
Journal: Microelectronics Journal - Volume 38, Issue 2, February 2007, Pages 251–254
نویسندگان
Jia-Chuan Lin, Po-Yu Yang, Wei-Chih Tsai,