دانلود مقالات ISI درباره ترانزیستور جذب الکترون بالا + ترجمه فارسی
High Electron Mobility Transistor
ترانزیستور جذب الکترون بالا
در این صفحه تعداد 26 مقاله تخصصی درباره ترانزیستور جذب الکترون بالا که در نشریه های معتبر علمی و پایگاه ساینس دایرکت (Science Direct) منتشر شده، نمایش داده شده است. برخی از این مقالات، پیش تر به زبان فارسی ترجمه شده اند که با مراجعه به هر یک از آنها، می توانید متن کامل مقاله انگلیسی همراه با ترجمه فارسی آن را دریافت فرمایید. در صورتی که مقاله مورد نظر شما هنوز به فارسی ترجمه نشده باشد، مترجمان با تجربه ما آمادگی دارند آن را در اسرع وقت برای شما ترجمه نمایند.
مقالات ISI ترانزیستور جذب الکترون بالا (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند. در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: ترانزیستور جذب الکترون بالا; AlGaN/GaN heterostructure; Diamond film; High electron mobility transistor; Hybrid device; High temperature operation; Electronic properties;
Keywords: ترانزیستور جذب الکترون بالا; AlGaN/GaN; Breakdown voltage; High electron mobility transistor; Mole fraction; Schottky-contact technology; Two Dimension Electron Gas (2DEG)
Keywords: ترانزیستور جذب الکترون بالا; Field effect transistor; Heterostructure; High electron mobility transistor; Metal oxide semiconductor high electron mobility transistor; Thin oxide film; Annealing; Temperature treatment; Forming gas; GaN; InAlN; Al2O3; Processing; Current collapse; Gate
Keywords: ترانزیستور جذب الکترون بالا; High electron mobility transistor; Metamorphic high electron mobility transistor; Pseudo morphic high electron mobility transistor; δ-doping; MEDICI