کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
542717 | 871569 | 2006 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling the impact of light on the performance of polycrystalline thin-film transistors at the sub-threshold region
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The impact of the light illumination on the drain current of polycrystalline silicon thin-film transistors (TFT) is studied in this work. The increase of the output current as a result of raised light intensity is modeled, based on measured experimental data for different Vds and Vgs values and transistor sizes W/L. The proposed model has been verified against the measurements and the simulated output characteristics give a good approximation in the sub-threshold region.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 11, November 2006, Pages 1313-1320
Journal: Microelectronics Journal - Volume 37, Issue 11, November 2006, Pages 1313-1320
نویسندگان
N.P. Papadopoulos, A.A. Hatzopoulos, D.K. Papakostas, C.A. Dimitriadis, S. Siskos,