کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
543477 871662 2012 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Assessment of structure variation in silicon nanowire FETs and impact on SRAM
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Assessment of structure variation in silicon nanowire FETs and impact on SRAM
چکیده انگلیسی

Impact of device structure variability of silicon nanowire FETs is assessed and SRAM design implication is presented based on 3-D numerical simulation. Both the conventional and junctionless nanowire FETs are shown to be sensitive to structural variation whereas the former is more tolerable. Both the circular wire and non-circular wire cases for feasible SRAM design with a focus on read/write noise margin are included in our study.

ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 43, Issue 5, May 2012, Pages 300–304
نویسندگان
, , , ,