کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
543477 | 871662 | 2012 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Assessment of structure variation in silicon nanowire FETs and impact on SRAM
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Impact of device structure variability of silicon nanowire FETs is assessed and SRAM design implication is presented based on 3-D numerical simulation. Both the conventional and junctionless nanowire FETs are shown to be sensitive to structural variation whereas the former is more tolerable. Both the circular wire and non-circular wire cases for feasible SRAM design with a focus on read/write noise margin are included in our study.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 43, Issue 5, May 2012, Pages 300–304
Journal: Microelectronics Journal - Volume 43, Issue 5, May 2012, Pages 300–304
نویسندگان
Yi-Bo Liao, Meng-Hsueh Chiang, Keunwoo Kim, Wei-Chou Hsu,